Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel N-kanalig Mosfet, MOSFET, 13.1 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

23 382,00 kr

(exkl. moms)

29 226,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +7,794 kr23 382,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-2826
Tillv. art.nr:
Si7252ADP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

13.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

18.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

100V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

13.1nC

Transistorkonfiguration

Dubbel N-kanalig Mosfet

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

PWM optimized

100 % Rg and UIS tested