Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPD26N06S2L35ATMA2

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

151,12 kr

(exkl. moms)

188,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 480 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 807,556 kr151,12 kr
100 - 1806,048 kr120,96 kr
200 - 4805,595 kr111,90 kr
500 - 9805,214 kr104,28 kr
1000 +4,839 kr96,78 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
223-8515
Tillv. art.nr:
IPD26N06S2L35ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1nC

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.95V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS series N-channel MOSFET in DPAK package. It has benefits of highest current capability, lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency and robust packages with superior quality and reliability.

Automotive AEC Q101 qualified

•MSL1 up to 260°C peak reflow

•175°C operating temperature

•Green package

•Ultra low Rds

•100% Avalanche tested

relaterade länkar