Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 100 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB100N06S2L05ATMA2

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

246,29 kr

(exkl. moms)

307,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 930 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4549,258 kr246,29 kr
50 - 12044,822 kr224,11 kr
125 - 24542,358 kr211,79 kr
250 - 49539,402 kr197,01 kr
500 +36,422 kr182,11 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
223-8513
Tillv. art.nr:
IPB100N06S2L05ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

OptiMOS

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS series N-channel MOSFET in D2-PAK package. It has benefits of highest current capability, lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency and robust packages with superior quality and reliability.

Automotive AEC Q101 qualified

•MSL1 up to 260°C peak reflow

•175°C operating temperature

•Green package

•Ultra low Rds

•100% Avalanche tested

relaterade länkar