Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S2L09ATMA2

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

299,24 kr

(exkl. moms)

374,05 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 1029,924 kr299,24 kr
20 - 4028,437 kr284,37 kr
50 - 9027,227 kr272,27 kr
100 - 24026,04 kr260,40 kr
250 +24,237 kr242,37 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-9026
Tillv. art.nr:
IPB80N06S2L09ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon range of OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications. These are robust packages with superior quality and reliability.

The product is Automotive AEC Q101 qualified

100% Avalanche tested

It has 175°C operating temperature

relaterade länkar