Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPD50R

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

132,83 kr

(exkl. moms)

166,038 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 866,415 kr132,83 kr
10 - 1859,08 kr118,16 kr
20 - 4855,775 kr111,55 kr
50 - 9851,745 kr103,49 kr
100 +47,77 kr95,54 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4907
Tillv. art.nr:
IPL60R060CFD7AUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

40A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

IPD50R

Kapseltyp

ThinPAK

Typ av fäste

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

60mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

219W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

79nC

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

8.1mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.1mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behaviour and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

Best-in-class hard commutation ruggedness

Highest reliability for resonant topologies

Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off

Enabling increased power density solutions

Relaterade länkar