Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL
- RS-artikelnummer:
- 217-2537
- Tillv. art.nr:
- IPL60R125P7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
40 230,00 kr
(exkl. moms)
50 280,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 13,41 kr | 40 230,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2537
- Tillv. art.nr:
- IPL60R125P7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 27A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | ThinPAK | |
| Serie | IPL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 111W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 8.8mm | |
| Längd | 8.8mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 27A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp ThinPAK | ||
Serie IPL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 111W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 8.8mm | ||
Längd 8.8mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 600 V CoolMOSTM P7 superjunction (SJ) MOSFET är efterföljaren till 600 V CoolMOSTM P6-serien. Den fortsätter att balansera behovet av hög effektivitet mot användarvänlighet i designprocessen. Klassens bästa R onxA och den inneboende låga grindladdningen (Q G) på CoolMOSTM 7:e generationens plattform säkerställer dess höga effektivitet.
Lämplig för hård och mjuk omkoppling (PFC och LLC) på grund av enastående kommuteringstålighet
Betydande minskning av omkopplings- och ledningsförluster
>
Bättre RDS(on)/förpackningsprodukter jämfört med konkurrenterna möjliggörs av en
låg RDS(on)*A(below1Ohm*mm2)
Helt kvalificerad enligt JEDEC för industriella tillämpningar
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 107 A 700 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 107 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 5x6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R