Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPD50R
- RS-artikelnummer:
- 222-4909
- Tillv. art.nr:
- IPL60R065C7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
168,67 kr
(exkl. moms)
210,838 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 84,335 kr | 168,67 kr |
| 10 - 18 | 77,67 kr | 155,34 kr |
| 20 - 48 | 75,655 kr | 151,31 kr |
| 50 - 98 | 73,585 kr | 147,17 kr |
| 100 + | 71,85 kr | 143,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4909
- Tillv. art.nr:
- IPL60R065C7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 29A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | ThinPAK | |
| Serie | IPD50R | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 180W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 8.1mm | |
| Längd | 8.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp ThinPAK | ||
Serie IPD50R | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 180W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 8.1mm | ||
Längd 8.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 600 V CoolMOSTM C7 superjunction (SJ) MOSFET-serie erbjuder en ∼50 % minskning av avstängningsförluster (E oss ) jämfört med CoolMOSTM CP, vilket ger en enastående prestandanivå i PFC, TTF och andra hårdkopplingstopologier. IPL60R185C7 är också en perfekt matchning för laddningsdesigner med hög effekttäthet.
Minskade omkopplingsförlustparametrar som Q G, C oss, E oss
Klassens bästa meritfaktor Q G*R DS(on)
Ökad omkopplingsfrekvens
Världens bästa R (on)*A
Robust husdiod
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPD50R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPD50R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD50R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 10 Ben, TO-252, IPD50R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 5x6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R