Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IPB60R
- RS-artikelnummer:
- 222-4892
- Tillv. art.nr:
- IPB60R099C7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
19 031,00 kr
(exkl. moms)
23 789,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 19,031 kr | 19 031,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4892
- Tillv. art.nr:
- IPB60R099C7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 22A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | IPB60R | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 99mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 22A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie IPB60R | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 99mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.
Reduced switching loss parameters such as Q G, C oss, E oss
Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)
Increased switching frequency
Best R (on)*A in the world
Rugged body diode
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 22 A 600 V Förbättring TO-263, IPB60R
- Infineon Typ N Kanal 25 A 600 V Förbättring TO-263, IPB60R
- Infineon Typ N Kanal 37 A 600 V Förbättring TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 38 A 600 V Förbättring TO-263, IPA60R
- Infineon Typ N Kanal 11.4 A 600 V Förbättring TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 18 A 600 V Förbättring TO-263, IPB65R
- Infineon Typ N Kanal 12 A 600 V Förbättring TO-263, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 9 A 600 V Förbättring TO-263, 600V CoolMOS P7
