Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R

Se alla MOSFET-transistor
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
222-4886
Tillv. art.nr:
IPB60R040CFD7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

18A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

IPA60R

Kapseltyp

TO-220

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

180mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R040CFD7 in D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors

Best-in-class hard commutation ruggedness

Highest reliability for resonant topologies

Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off

Enabling increased power density solutions

Relaterade länkar