Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 109 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4727
- Tillv. art.nr:
- IPZ60R017C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
163,86 kr
(exkl. moms)
204,82 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 107 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 163,86 kr |
| 2 - 4 | 155,68 kr |
| 5 - 9 | 149,07 kr |
| 10 - 24 | 142,58 kr |
| 25 + | 132,61 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4727
- Tillv. art.nr:
- IPZ60R017C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 109A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 240nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 446W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Längd | 16.13mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 109A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 240nC | ||
Maximal effektförlust Pd 446W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 21.1mm | ||
Längd 16.13mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon design of Cool MOS™ C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm.
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Superior thermal resistance 100% avalanche tested
Halogen-free according to IEC61249-2-23
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 109 A 600 V Förbättring TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 109 A 650 V Förbättring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 109 A 600 V TO-247, 600V CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 111 A 650 V Förbättring TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 77.5 A 650 V Förbättring TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 14 A 650 V Förbättring TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 33 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 63.3 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS