Infineon N Kanal, MOSFET, 109 A 600 V, 3 Ben, TO-247, 600V CoolMOS C7
- RS-artikelnummer:
- 218-3083
- Tillv. art.nr:
- IPW60R017C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 218-3083
- Tillv. art.nr:
- IPW60R017C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 109A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS C7 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal effektförlust Pd | 446W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 240nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 16.13mm | |
| Bredd | 5.21mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 109A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS C7 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal effektförlust Pd 446W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 240nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 16.13mm | ||
Bredd 5.21mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 21.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOSTM-serien N-kanals effekt-MOSFET. CoolMOSTM C7 är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt superjunction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon Technologies.
Lämpligt för hård och mjuk omkoppling (PFC och högpresterande LLC)
Ökad MOSFET dv/dt-hållfasthet till 120 V/ns
Ökad omkopplingsfrekvens
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 109 A 600 V, 3 Ben, TO-247, 600V CoolMOS C7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 37 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 109 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS C7