Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 700 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4729
- Tillv. art.nr:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
207,76 kr
(exkl. moms)
259,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 318 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 103,88 kr | 207,76 kr |
| 10 - 18 | 92,455 kr | 184,91 kr |
| 20 - 48 | 86,24 kr | 172,48 kr |
| 50 - 98 | 80,92 kr | 161,84 kr |
| 100 + | 74,93 kr | 149,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4729
- Tillv. art.nr:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 33A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 171W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Längd | 16.13mm | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Bredd | 5.21mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 33A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 171W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Längd 16.13mm | ||
Höjd 21.1mm | ||
Bredd 5.21mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons design av Cool MOSTM C7-serien kombinerar erfarenheten från den ledande SJ MOSFET-leverantören med innovation i högklass. Produktportföljen ger alla fördelar med snabba superkopplings-MOSFET-transistorer med bättre effektivitet, minskad grindladdning, enkel implementering och enastående tillförlitlighet.
Ökad MOSFET dv/dt-robusthet
Bättre effektivitet tack vare klassens bästa FOM RDS(on)*Eoss och RDS(on)*Qg
Klassens bästa RDS(on)/förpackning
Blyfri plätering, halogenfri formförening
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 700 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63.3 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 700 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 83 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 145 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7