Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 599,35 kr

(exkl. moms)

1 999,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 03 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5031,987 kr1 599,35 kr
100 - 10030,388 kr1 519,40 kr
150 +29,207 kr1 460,35 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4706
Tillv. art.nr:
IPP65R110CFDAAKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

31.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-220

Serie

CoolMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

110mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

110nC

Maximal effektförlust Pd

277.8W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.57mm

Längd

10.36mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Superior thermal resistance 100% avalanche tested

Halogen-free according to IEC61249-2-23

Relaterade länkar