Infineon N Kanal, MOSFET, 31.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4658
- Tillv. art.nr:
- IPB65R190C7ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
203,17 kr
(exkl. moms)
253,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 285 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 40,634 kr | 203,17 kr |
| 25 - 45 | 34,138 kr | 170,69 kr |
| 50 - 120 | 32,10 kr | 160,50 kr |
| 125 - 245 | 29,724 kr | 148,62 kr |
| 250 + | 27,664 kr | 138,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4658
- Tillv. art.nr:
- IPB65R190C7ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 31.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 110mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 110mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons design av Cool MOS är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon Technologies. 600 V Cool MOSTM C7-serien kombinerar erfarenheten från den ledande SJ MOSFET-leverantören med innovation i högklass. 600 V C7 är den första tekniken någonsin med RDS(on)*A under 1 Ohm*mm2.
AEC Q101-kvalificerade
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 23.8 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 57.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7