Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS-TM3
- RS-artikelnummer:
- 222-4629
- Tillv. art.nr:
- BSZ068N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 15 enheter)*
134,505 kr
(exkl. moms)
168,135 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 4 815 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 8,967 kr | 134,51 kr |
| 75 - 135 | 8,519 kr | 127,79 kr |
| 150 - 360 | 8,161 kr | 122,42 kr |
| 375 - 735 | 7,803 kr | 117,05 kr |
| 750 + | 7,265 kr | 108,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4629
- Tillv. art.nr:
- BSZ068N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 63A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 46W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6.1 mm | |
| Längd | 5.35mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 63A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 46W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6.1 mm | ||
Längd 5.35mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Superior thermal resistance 100% avalanche tested
Halogen-free according to IEC61249-2-23