Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 114 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS-TM3

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

19 285,00 kr

(exkl. moms)

24 105,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 15 000 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +3,857 kr19 285,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4626
Tillv. art.nr:
BSZ028N04LSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

114A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TSDSON

Serie

OptiMOS-TM3

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

2.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

63W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

32nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.2mm

Längd

5.35mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.1 mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Superior thermal resistance 100% avalanche tested

Halogen-free according to IEC61249-2-23

Relaterade länkar