Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET & Diode, 90 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P03P4L04ATMA2

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

114,90 kr

(exkl. moms)

143,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 805 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4522,98 kr114,90 kr
50 - 12020,474 kr102,37 kr
125 - 24519,084 kr95,42 kr
250 - 49517,898 kr89,49 kr
500 +16,576 kr82,88 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
220-7416
Tillv. art.nr:
IPD90P03P4L04ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Maximum Power Dissipation Pd

137W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5 V

Forward Voltage Vf

-1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Width

6.22 mm

Height

2.41mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon offers a wide portfolio of P-channel automotive power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO220, TO262 and SO8 package with the technology of OptiMOS -P2 and Gen5.

P-channel - Logic Level - Enhancement mode

No charge pump required for high side drive.

Simple interface drive circuit

World's lowest RDSon at 40V

Highest current capability

Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency

relaterade länkar