Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode, 105 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB083N15N5LFATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

138,89 kr

(exkl. moms)

173,612 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1869,445 kr138,89 kr
20 - 4861,825 kr123,65 kr
50 - 9857,68 kr115,36 kr
100 - 19854,21 kr108,42 kr
200 +50,01 kr100,02 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
220-7385
Tillv. art.nr:
IPB083N15N5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

105A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.

Combination of low R DS(on) and wide safe operating area (SOA)

High max. pulse current

High continuous pulse current

Rugged linear mode operation

Low conduction losses

Higher in-rush current enabled for faster start-up and shorter down time

relaterade länkar