Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 105 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 220-7385
- Tillv. art.nr:
- IPB083N15N5LFATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
134,96 kr
(exkl. moms)
168,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 27 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 67,48 kr | 134,96 kr |
| 20 - 48 | 60,09 kr | 120,18 kr |
| 50 - 98 | 56,055 kr | 112,11 kr |
| 100 - 198 | 52,64 kr | 105,28 kr |
| 200 + | 48,495 kr | 96,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7385
- Tillv. art.nr:
- IPB083N15N5LFATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 105A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 105A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon OptiMOS Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.
Combination of low R DS(on) and wide safe operating area (SOA)
High max. pulse current
High continuous pulse current
Rugged linear mode operation
Low conduction losses
Higher in-rush current enabled for faster start-up and shorter down time
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 105 A 150 V Förbättring TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 70 A 120 V Förbättring TO-263, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 120 A 80 V Förbättring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 170 A 100 V Förbättring TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 12 A 40 V Förbättring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 180 A 80 V Förbättring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 180 A 40 V Förbättring TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 80 A 100 V Förbättring TO-263, OptiMOS 3