Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD35N10S3L26ATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 15 enheter)*

155,16 kr

(exkl. moms)

193,95 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 11 505 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
15 - 6010,344 kr155,16 kr
75 - 1359,826 kr147,39 kr
150 - 3609,415 kr141,23 kr
375 - 7358,997 kr134,96 kr
750 +8,385 kr125,78 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-3043
Tillv. art.nr:
IPD35N10S3L26ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

OptiMOS-T

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

71W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Width

6.22 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T series N-channel automotive MOSFET integrated with DPAK (TO-252) type package. It has low switching and conduction power losses.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

relaterade länkar