Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB180N04S4H0ATMA1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

179,31 kr

(exkl. moms)

224,14 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 440 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 535,862 kr179,31 kr
10 - 2034,068 kr170,34 kr
25 - 4530,662 kr153,31 kr
50 +30,482 kr152,41 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-3036
Tillv. art.nr:
IPB180N04S4H0ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

OptiMOS-T2

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel automotive MOSFET. It has TO263-7-3 package type.

175°C operating temperature

Ultra low Rds(on)

100% Avalanche tested

relaterade länkar