Infineon OptiMOS -T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N08S403ATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

351,46 kr

(exkl. moms)

439,325 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 220 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 570,292 kr351,46 kr
10 - 2063,28 kr316,40 kr
25 - 4559,046 kr295,23 kr
50 - 12054,836 kr274,18 kr
125 +51,318 kr256,59 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4366
Tillv. art.nr:
IPB120N08S403ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS -T2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

128nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

9.27 mm

Height

4.5mm

Length

10.02mm

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS T2 MOSFET is 100% Avalanche tested and is RoHS compliant.

It is AEC Q101 qualified

relaterade länkar