Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N06S4H1ATMA2

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

177,41 kr

(exkl. moms)

221,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 950 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +35,482 kr177,41 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-3033
Tillv. art.nr:
IPB120N06S4H1ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel power MOSFET. It has low switching and conduction power losses for high thermal efficiency.

N-channel - Enhancement mode

175°C operating temperature

100% Avalanche tested

relaterade länkar