Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 59 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

8 924,00 kr

(exkl. moms)

11 156,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 03 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 - 20004,462 kr8 924,00 kr
4000 +4,239 kr8 478,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2619
Tillv. art.nr:
IRFR2905ZTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

59A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TO-252

Serie

HEXFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

14.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

110W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

29nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.39mm

Längd

6.73mm

Bredd

6.22 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon HEXFET® Power MOSFET utnyttjar de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg on-resistans per kiselarea. Ytterligare egenskaper hos denna konstruktion är en driftstemperatur på 175°C, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv lavinklassning. Dessa egenskaper samverkar till att göra denna konstruktion till en extremt effektiv och tillförlitlig enhet som kan användas i en mängd olika applikationer.

Avancerad processteknik

Ultra låg på-resistans

175°C Driftstemperatur

Snabbväxlande

Repetitiv lavin tillåts upp till Tjmax

Blyfri

Relaterade länkar