Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 913-4783
- Tillv. art.nr:
- IRFR5505TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 2000 enheter)*
9 294,00 kr
(exkl. moms)
11 618,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 4,647 kr | 9 294,00 kr |
| 4000 + | 4,415 kr | 8 830,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 913-4783
- Tillv. art.nr:
- IRFR5505TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 110mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 57W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 110mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 57W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.39mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.22mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanals Power MOSFET 40V till 55V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar P-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade kapslingar och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar inom kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -11 A -55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 20 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 59 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET