Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

169,34 kr

(exkl. moms)

211,675 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 210 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +33,868 kr169,34 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2593
Tillv. art.nr:
IPZA60R180P7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

18A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-247

Serie

CoolMOS P7

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

180mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25nC

Maximal effektförlust Pd

72W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

41.2mm

Längd

15.9mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss DS(on)xQ G

ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)

Integrated gate resistor R G

Rugged body diode

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

Both standard grade and industrial grade parts are available

Relaterade länkar