Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 214-8996
- Tillv. art.nr:
- IPA60R180P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
92,96 kr
(exkl. moms)
116,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 580 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 9,296 kr | 92,96 kr |
| 50 - 90 | 8,826 kr | 88,26 kr |
| 100 - 240 | 8,467 kr | 84,67 kr |
| 250 - 490 | 8,086 kr | 80,86 kr |
| 500 + | 7,538 kr | 75,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-8996
- Tillv. art.nr:
- IPA60R180P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 180mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 180mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons CoolMOS 7:e generationens plattform är en revolutionerande teknik för högspännings-effekt-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och pionjär av Infineon Technologies. 600 V CoolMOS P7-serien är efterföljaren till CoolMOS P6-serien. Den kombinerar fördelarna med en snabb SJ MOSFET med utmärkt användarvänlighet, t.ex. mycket låg ringningstendens, enastående robusthet hos husdioden mot hård kommutation och utmärkt ESD-kapacitet. Dessutom gör extremt låga omkopplings- och ledningsförluster omkopplingstillämpningar ännu effektivare, mer kompakt och mycket kallare.
>
Lämpligt för hård och mjuk omkoppling tack vare enastående motståndskraft vid kommutation
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7