Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 217-2587
- Tillv. art.nr:
- IPW60R120P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
279,55 kr
(exkl. moms)
349,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 035 enhet(er) från den 18 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 55,91 kr | 279,55 kr |
| 10 - 20 | 46,95 kr | 234,75 kr |
| 25 - 45 | 44,196 kr | 220,98 kr |
| 50 - 120 | 40,812 kr | 204,06 kr |
| 125 + | 38,012 kr | 190,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2587
- Tillv. art.nr:
- IPW60R120P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 29A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 120mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 95W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 41.42mm | |
| Längd | 6.13mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 120mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 95W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 41.42mm | ||
Längd 6.13mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 600 V CoolMOSTM P7 superjunction (SJ) MOSFET är efterföljaren till 600 V CoolMOSTM P6-serien. Den fortsätter att balansera behovet av hög effektivitet mot användarvänlighet i designprocessen. Klassens bästa R onxA och den inneboende låga grindladdningen (Q G) på CoolMOSTM 7:e generationens plattform säkerställer dess höga effektivitet.
ESD-hårdhet på ≥ 2 kV (HBM klass 2)
Integrerat grindmotstånd R G
Robust husdiod
Brett sortiment i hålmonterings- och ytmonteringsförpackningar
Både standard- och industridelar finns tillgängliga
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 206 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 386 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 600 V, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 76 A 600 V, 3 Ben, TO-247, 600V CoolMOS P7