Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

447,55 kr

(exkl. moms)

559,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 508,951 kr447,55 kr
100 - 2006,892 kr344,60 kr
250 - 4506,447 kr322,35 kr
500 - 12005,996 kr299,80 kr
1250 +5,551 kr277,55 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2489
Tillv. art.nr:
IPA65R1K5CEXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

CoolMOS

Kapseltyp

TO-220

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.5Ω

Kanalläge

N

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

15.3nC

Maximal effektförlust Pd

68W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

29.75mm

Bredd

4.9 mm

Längd

10.65mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolMOS™ CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern superjunction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption. 600V, 650V and 700V CoolMOS™ CE combine the optimal R DS(on) and package offering suitable in low power chargers for mobile phones and tablets.

Narrow margins between typical and max R DS(on)

Reduced energy stored in output capacitance (E oss)

Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)

Optimized integrated R g

Relaterade länkar