Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T2

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

422,90 kr

(exkl. moms)

528,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 1008,458 kr422,90 kr
150 - 2008,136 kr406,80 kr
250 +8,037 kr401,85 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-2547
Tillv. art.nr:
IPP80N06S407AKSA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

OptiMOS-T2

Kapseltyp

TO-220

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

7.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

56nC

Maximal effektförlust Pd

79W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS® -T2 Power-Transistor series has 60V maximum drain source voltage with TO-220 package type. It is N-Channel with 7.1 mΩ max maximum drain source resistance.

N-channel - Enhancement mode

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

Relaterade länkar