Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, 600V CoolMOS CFD7

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

33 756,00 kr

(exkl. moms)

42 195,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +11,252 kr33 756,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-2521
Tillv. art.nr:
IPL60R185CFD7AUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

14A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

600V CoolMOS CFD7

Kapseltyp

ThinPAK

Typ av fäste

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

185mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

85W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

8.1mm

Längd

8.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 600V Cool MOS™ CFD7 is latest high voltage super junction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the Cool MOS™ 7 series. Cool MOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behaviour and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

Ultra-fast body diode

Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)

Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness

Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss

Best-in-class RDS(on)/package combinations

Relaterade länkar