Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, 600V CoolMOS CFD7
- RS-artikelnummer:
- 215-2523
- Tillv. art.nr:
- IPL60R285P7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
25 293,00 kr
(exkl. moms)
31 617,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 14 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 8,431 kr | 25 293,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2523
- Tillv. art.nr:
- IPL60R285P7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | ThinPAK | |
| Serie | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 285mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 59W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 8.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.1mm | |
| Längd | 8.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp ThinPAK | ||
Serie 600V CoolMOS CFD7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 285mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 59W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 8.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.1mm | ||
Längd 8.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 600 V Cool MOSTM P7 är efterföljaren till 600 V Cool MOSTM P6-serien. Den fortsätter att balansera behovet av hög effektivitet mot användarvänlighet i designprocessen. Klassens bästa R onxA och den inneboende låga grindladdningen (Q G) på Cool MOSTM 7:e generationens plattform säkerställer dess höga effektivitet. Den kombinerar fördelarna med en snabb SJ MOSFET med utmärkt användarvänlighet, t.ex. mycket låg ringningstendens, enastående robusthet hos husdioden mot hård kommutation och utmärkt ESD-kapacitet. Dessutom gör extremt låga omkopplings- och ledningsförluster omkopplingstillämpningar effektivare, mer kompakt och mycket kallare.
Lämplig för hård och mjuk omkoppling (PFC och LLC) tack vare enastående motståndskraft
>
Betydande minskning av omkopplings- och ledningsförluster
Brett sortiment i hålmonterings- och ytmonteringsförpackningar
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 16 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS CFD7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V, 3 Ben, TO-247, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 63 A 600 V, 3 Ben, TO-247, 600V CoolMOS CFD7