Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N06S4L03ATMA2

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

137,62 kr

(exkl. moms)

172,02 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 460 enhet(er) från den 30 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +13,762 kr137,62 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-2520
Tillv. art.nr:
IPD90N06S4L03ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

170nC

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS®-T2 Power-Transistor has 60V maximum drain source voltage, N-Ch, Automotive MOSFET, with DPAK(TO-252) package.

N-channel - Enhancement mode

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Ultra low RDSon

relaterade länkar