Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

20 395,00 kr

(exkl. moms)

25 495,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +8,158 kr20 395,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-2519
Tillv. art.nr:
IPD90N06S4L03ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

90A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

170nC

Maximal effektförlust Pd

150W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOS®-T2 effekttransistor har 60 V maximal dräneringskällspänning, N-kanal, fordons-MOSFET, med DPAK(TO-252)-paket.

N-kanal – Förbättringsläge

Godkänd enligt AEC Q101 för fordon

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

175 °C drifttemperatur

Ultralåg RDSon

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.