Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

22 667,50 kr

(exkl. moms)

28 335,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 31 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +9,067 kr22 667,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-2519
Tillv. art.nr:
IPD90N06S4L03ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

170nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS®-T2 Power-Transistor has 60V maximum drain source voltage, N-Ch, Automotive MOSFET, with DPAK(TO-252) package.

N-channel - Enhancement mode

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Ultra low RDSon

relaterade länkar