Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2
- RS-artikelnummer:
- 215-2519
- Tillv. art.nr:
- IPD90N06S4L03ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
20 395,00 kr
(exkl. moms)
25 495,00 kr
(inkl. moms)
Lägg till 2500 enheter för att få fri frakt
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 8,158 kr | 20 395,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2519
- Tillv. art.nr:
- IPD90N06S4L03ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 90A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 170nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 170nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon OptiMOS®-T2 Power-Transistor has 60V maximum drain source voltage, N-Ch, Automotive MOSFET, with DPAK(TO-252) package.
N-channel - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Ultra low RDSon
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 90 A 60 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2
- Infineon Typ N Kanal 90 A 100 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 90 A 30 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 90 A 40 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 25 A 60 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2
- Infineon Typ N Kanal 100 A 60 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2
- Infineon Typ N Kanal 50 A 40 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 86 A 40 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101