Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

18 135,00 kr

(exkl. moms)

22 670,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +7,254 kr18 135,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-2501
Tillv. art.nr:
IPD100N06S403ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

128nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS®-T2 Power-Transistor has 100V maximum drain source voltage, N-Channel, Automotive MOSFET, with DPAK(TO-252)package.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Ultra Low RDSon

Ultra High ID

relaterade länkar