Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

24 650,00 kr

(exkl. moms)

30 800,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 09 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +4,93 kr24 650,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-2472
Tillv. art.nr:
BSZ146N10LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

40A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

PQFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

14.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

52W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon's OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figures of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(the)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers.

Low R DS(on) in small package

Low gate charge

Lower output charge

Logic level compatibility

Relaterade länkar