Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

163,97 kr

(exkl. moms)

204,96 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 740 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4016,397 kr163,97 kr
50 - 9015,579 kr155,79 kr
100 - 24014,918 kr149,18 kr
250 - 49014,258 kr142,58 kr
500 +13,283 kr132,83 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-9129
Tillv. art.nr:
IRFR4104TRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

42A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TO-252

Serie

HEXFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

5.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

59nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

140W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.73mm

Bredd

2.39 mm

Höjd

6.22mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

It comes with Advanced Process Technology

The MOSFET is Lead-Free

Relaterade länkar