Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

148,56 kr

(exkl. moms)

185,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 17 640 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +7,428 kr148,56 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-3106
Distrelec artikelnummer:
304-39-421
Tillv. art.nr:
IRFR3410TRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

31A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

31Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

56nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

110W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

6.22mm

Längd

6.73mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons HEXFET-serie är en N-kanalig effekt-MOSFET integrerad med DPAK (TO-252)-kapsling. Denna MOSFET används främst i högfrekventa DC-DC-omvandlare.

RoHS-märkt

175°C Driftstemperatur

Snabbväxlande

Relaterade länkar