Infineon 2 Typ N Kanal Förbättringsläge, MOSFET, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
214-9059
Tillv. art.nr:
IPG20N04S4L08AATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

OptiMOS-T2

Kapseltyp

TDSON

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

8.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

54W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

39nC

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Transistorkonfiguration

Förbättringsläge

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Längd

5.15mm

Höjd

1mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. The Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode, are feasible for automatic optical inspection (AOI). OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements.

The product is AEC Q101 qualified

100% Avalanche tested

It has 175°C operating temperature

Relaterade länkar