Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 214-9041
- Tillv. art.nr:
- IPD50R650CEAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
170,90 kr
(exkl. moms)
213,625 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 500 enhet(er) levereras från den 23 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 6,836 kr | 170,90 kr |
| 125 - 225 | 6,496 kr | 162,40 kr |
| 250 - 600 | 6,362 kr | 159,05 kr |
| 625 - 1225 | 5,958 kr | 148,95 kr |
| 1250 + | 5,537 kr | 138,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9041
- Tillv. art.nr:
- IPD50R650CEAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 650mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.84V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 47W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 650mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.84V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 47W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.41mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching Super junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.
Easy to use/drive
Very high commutation ruggedness
Qualified for standard grade applications
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 9 A 500 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 7.2 A 650 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 3.9 A 800 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 6.8 A 650 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 14.1 A 550 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 5.7 A 800 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 2.2 A 500 V Förbättring TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 9 A 650 V Förbättring TO-252, CoolMOS