Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

141,12 kr

(exkl. moms)

176,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4014,112 kr141,12 kr
50 - 9013,418 kr134,18 kr
100 - 24012,846 kr128,46 kr
250 - 49012,286 kr122,86 kr
500 +11,435 kr114,35 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-9000
Tillv. art.nr:
IPA60R280P7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220

Serie

CoolMOS P7

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

280mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolMOS 7th generation platform is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS P7 series is the successor to the CoolMOS P6 series. It combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use, e.g. very low ringing tendency, outstanding robustness of body diode against hard commutation and excellent ESD capability. Furthermore, extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact and much cooler.

Excellent ESD robustness >2kV (HBM) for all products

Suitable for hard and soft switching due to an outstanding commutation ruggedness

Relaterade länkar