Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R1K4CEATMA1

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 15 enheter)*

128,58 kr

(exkl. moms)

160,725 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 980 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
15 +8,572 kr128,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4396
Tillv. art.nr:
IPD80R1K4CEATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Series

CoolMOS CE

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

6.42 mm

Length

6.65mm

Height

2.35mm

Automotive Standard

No

This Infineon 800V Cool MOS CE MOSFET has high voltage capability that combines safety with performance and ruggedness to allow stable designs at highest efficiency level.

It is RoHS compliant

relaterade länkar