Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 214-9044
- Tillv. art.nr:
- IPD65R1K0CEAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
7 952,50 kr
(exkl. moms)
9 940,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 3,181 kr | 7 952,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9044
- Tillv. art.nr:
- IPD65R1K0CEAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal effektförlust Pd | 68W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Bredd | 6.22 mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal effektförlust Pd 68W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.41mm | ||
Bredd 6.22 mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching Super junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.
Easy to use/drive
Very high commutation ruggedness
Qualified for standard grade applications
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 7.2 A 650 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 7.2 A 650 V Förbättring TO-251, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 6.8 A 650 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 12 A 650 V Förbättring TO-252, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 9 A 650 V Förbättring TO-252, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 9 A 500 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 3.9 A 800 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 14.1 A 550 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
