Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 214-4395
- Tillv. art.nr:
- IPD80R1K4CEATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
12 082,50 kr
(exkl. moms)
15 102,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 4,833 kr | 12 082,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4395
- Tillv. art.nr:
- IPD80R1K4CEATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 63W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 23nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.35mm | |
| Längd | 6.65mm | |
| Bredd | 6.42 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 63W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 23nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.35mm | ||
Längd 6.65mm | ||
Bredd 6.42 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
This Infineon 800V Cool MOS CE MOSFET has high voltage capability that combines safety with performance and ruggedness to allow stable designs at highest efficiency level.
It is RoHS compliant