Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

13 775,00 kr

(exkl. moms)

17 225,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 500 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +5,51 kr13 775,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4395
Tillv. art.nr:
IPD80R1K4CEATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

CoolMOS CE

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

2.35mm

Length

6.65mm

Width

6.42 mm

Automotive Standard

No

This Infineon 800V Cool MOS CE MOSFET has high voltage capability that combines safety with performance and ruggedness to allow stable designs at highest efficiency level.

It is RoHS compliant

relaterade länkar