Vishay SiHU4N80AE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU4N80AE-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

104,83 kr

(exkl. moms)

131,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4520,966 kr104,83 kr
50 - 12019,062 kr95,31 kr
125 - 24518,01 kr90,05 kr
250 - 49517,158 kr85,79 kr
500 +16,778 kr83,89 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-4943
Tillv. art.nr:
SIHU4N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SiHU4N80AE

Package Type

IPAK

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.44Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Width

2.38 mm

Height

6.22mm

Automotive Standard

No

E Series Power MOSFET

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

relaterade länkar