DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMP2900 AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

20,20 kr

(exkl. moms)

25,25 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 300 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 20 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 500,404 kr20,20 kr
100 - 2000,352 kr17,60 kr
250 - 4500,343 kr17,15 kr
500 - 9500,336 kr16,80 kr
1000 +0,329 kr16,45 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
206-0114
Tillv. art.nr:
DMP2900UW-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

600mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-323

Serie

DMP2900

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

750mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.7nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

0.3W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

6 V

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.9mm

Bredd

1.8 mm

Längd

2mm

Fordonsstandard

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

COO (ursprungsland):
CN
The DiodesZetex 20V P- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 6V with 0.3 W thermal power dissipation.

Low on-resistance

Low input capacitance

Relaterade länkar