STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 116 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK, SCTH90

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

296,58 kr

(exkl. moms)

370,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4296,58 kr
5 - 9278,66 kr
10 - 24263,98 kr
25 - 49249,20 kr
50 +240,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
201-0869
Tillv. art.nr:
SCTH90N65G2V-7
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

116A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

SCTH90

Kapseltyp

H2PAK

Fästetyp

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

24mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

157nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

484W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

15.25mm

Höjd

10.4mm

Bredd

4.8 mm

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 116A and drain to source resistance 18m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitances

Relaterade länkar

Recently viewed