STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, STH65N AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 481-129
- Tillv. art.nr:
- STH65N050DM9-7AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
75,94 kr
(exkl. moms)
94,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 286 enhet(er) från den 02 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 75,94 kr |
| 10 - 49 | 61,38 kr |
| 50 - 99 | 47,04 kr |
| 100 + | 41,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 481-129
- Tillv. art.nr:
- STH65N050DM9-7AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 51A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | H2PAK-7 | |
| Serie | STH65N | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.25mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 51A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp H2PAK-7 | ||
Serie STH65N | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.25mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics N-Channel Power MOSFET is built on advanced super-junction MDmesh DM9 technology, designed for medium to high voltage applications. It features extremely low RDS(on) per area and a fast-recovery diode, making it ideal for high-efficiency switching. The DM9 silicon technology utilizes a multi-drain manufacturing process that enhances device structure and performance. With very low recovery charge (Qrr), fast recovery time (trr), and low RDS(on), this MOSFET is optimized for demanding bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Low gate charge and resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
AEC-Q101 qualified
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, STH65N AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 95 A 650 V Avskrivningar, 7 Ben, H2PAK, SCT
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, Sct
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 116 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK, SCTH90
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, 108 A 650 V, 7 Ben, H2PAK-7 1 Yta