STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 116 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK, SCTH90

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

273 943,00 kr

(exkl. moms)

342 429,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +273,943 kr273 943,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
201-0868
Tillv. art.nr:
SCTH90N65G2V-7
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

116A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

H2PAK

Serie

SCTH90

Fästetyp

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

24mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

157nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

484W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

15.25mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

10.4mm

Bredd

4.8 mm

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 116A and drain to source resistance 18m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitances

Relaterade länkar