STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD5N80K5

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

130,10 kr

(exkl. moms)

162,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 670 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +13,01 kr130,10 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-8440
Tillv. art.nr:
STD5N80K5
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.73Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5nC

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.6mm

Standards/Approvals

No

Height

2.17mm

Width

6.2 mm

Automotive Standard

No

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM (figure of merit)

Ultra-low gate charge

Zener-protected

Applications

Switching applications

relaterade länkar